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![集成电路制造工艺](https://www.shukui.net/cover/78/31797667.jpg)
- 史小波,曹艳编 著
- 出版社: 北京:电子工业出版社
- ISBN:9787121049705
- 出版时间:2007
- 标注页数:156页
- 文件大小:21MB
- 文件页数:165页
- 主题词:集成电路工艺-高等学校-教材
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图书目录
第1章 概述1
1.1 集成电路的发展历程1
1.1.1 集成电路的由来1
1.1.2 摩尔定律之路2
1.2 集成电路的分类3
1.2.1 按器件导电类型分类3
1.2.2 按器件功能分类4
1.3 集成电路工艺基础5
1.3.1 集成电路的材料5
1.3.2 集成电路工艺基础7
1.4 集成电路的生产环境9
习题12
第2章 半导体材料13
2.1 晶体结构13
2.2 晶向与晶面13
2.3 晶体中的缺陷和杂质15
2.3.1 晶体中的缺陷15
2.3.2 晶体中的杂质16
2.4 单晶硅的制备17
2.4.1 多晶硅的制备17
2.4.2 生长单晶硅18
2.4.3 单晶硅性能测试21
2.5 晶圆加工23
2.5.1 外形整理23
2.5.2 切片24
2.5.3 倒角25
2.5.4 研磨25
2.5.5 抛光26
2.5.6 Wafer清洗27
习题28
第3章 硅平面工艺流程29
3.1 双极型集成电路工艺流程29
3.1.1 衬底制备30
3.1.2 生长埋层30
3.1.3 外延生长31
3.1.4 生长隔离区31
3.1.5 生长基区31
3.1.6 发射区及集电极接触区生长32
3.1.7 形成金属互连32
3.2 MOS工艺32
3.3 CMOS工艺33
3.3.1 CMOS集成电路34
3.3.2 CMOS工艺流程35
3.4 Bi-CMOS工艺39
3.4.1 以CMOS工艺为基础的Bi-CMOS工艺40
3.4.2 以双极工艺为基础的Bi-CMOS工艺40
习题41
第4章 薄膜的制备42
4.1 氧化42
4.1.1 SiO2的结构及性质42
4.1.2 SiO2的用途43
4.1.3 热氧化法生长二氧化硅膜45
4.1.4 热分解淀积氧化膜47
4.1.5 热处理48
4.1.6 二氧化硅膜质量检测48
4.2 化学气相淀积51
4.3 外延生长53
4.3.1 外延生长53
4.3.2 外延层检测57
4.4 物理气相淀积59
4.4.1 蒸发59
4.4.2 溅射61
习题64
第5章 光刻技术65
5.1 光刻材料及设备65
5.1.1 光刻胶65
5.1.2 光刻掩膜版67
5.1.3 曝光方式69
5.2 光刻工艺71
5.2.1 底膜处理71
5.2.2 涂胶72
5.2.3 前烘73
5.2.4 曝光74
5.2.5 显影78
5.2.6 坚膜79
5.2.7 刻蚀79
5.2.8 去胶80
5.3 刻蚀工艺81
5.3.1 刻蚀性能81
5.3.2 湿法刻蚀83
5.3.3 干法刻蚀84
5.4 光刻质量检测90
5.4.1 检测内容90
5.4.2 光刻质量分析91
习题92
第6章 掺杂技术93
6.1 扩散93
6.1.1 扩散原理与模型93
6.1.2 扩散方法94
6.1.3 扩散层的测量96
6.2 离子注入98
6.2.1 离子注入原理98
6.2.2 离子注入设备99
6.2.3 离子注入工艺103
6.2.4 离子注入质量检测105
习题106
第7章 金属化与平坦化107
7.1 欧姆接触107
7.1.1 欧姆接触的形成条件107
7.1.2 欧姆接触的制备108
7.2 金属布线109
7.2.1 多层金属布线109
7.2.2 器件互连110
7.2.3 栓塞114
7.3 金属膜的制备115
7.3.1 金属CVD115
7.3.2 铜电镀117
7.4 平坦化117
7.4.1 传统的平坦化技术118
7.4.2 化学机械平坦化119
7.5 铜金属化122
习题124
第8章 芯片封装与装配技术125
8.1 封装工艺125
8.2 芯片互连129
8.3 封装材料134
8.3.1 Mold材料134
8.3.2 Lead Frame材料137
8.4 封装类型138
8.4.1 插针式138
8.4.2 表贴式139
8.4.3 BGA(球栅阵列)142
8.4.4 CSP(芯片级封装)145
8.4.5 COB(板上芯片)146
8.4.6 Wafer scale package(晶圆级封装)146
8.4.7 其他147
习题148
附录A 术语表149
参考文献156