图书介绍
集成电路器件电子学PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- （美）马勒（Muller，R.S.），（美）卡明斯（Kamins，T.I.）著；孙彦卿译 著
- 出版社： 北京：科学出版社
- ISBN：15031·646
- 出版时间：1985
- 标注页数：466页
- 文件大小：15MB
- 文件页数：481页
- 主题词：
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图书目录
目录1
第一章 电子学和工艺学1
1.1 半导体材料物理2
1.2 晶体中的自由载流子24
1.3 半导体工艺学36
1.4 器件：集成电路电阻61
小结68
习题70
第二章 金属-半导体接触76
2.1 电子系统中的平衡76
2.2 理想化的金属-半导体结80
2.3 电流-电压特性91
2.4 非整流（欧姆）接触100
2.5 表面效应106
2.6 金属-半导体器件：肖特基二极管112
小结116
习题117
第三章 pn结123
3.1 缓变杂质分布124
3.2 pn结130
3.3 反向偏置pn结144
3.4 结击穿150
3.5 器件：结型场效应晶体管160
小结169
习题171
第四章 pn结电流177
4.1 连续性方程177
4.2 产生与复合180
4.3 pn结的电流-电压特性192
4.4 电荷存贮和二极管瞬变过程209
4.5 器件：集成电路二极管220
小结227
习题228
第五章 双极晶体管Ⅰ：基本操作原理236
5.1 晶体管作用237
5.2 有效偏压246
5.3 晶体管开关257
5.4 埃伯斯-莫尔模型263
5.5 器件：平面双极放大和开关晶体管270
小结277
习题279
第六章 双极晶体管Ⅱ：局限性和模型284
6.1 集电极偏压变化效应（厄尔利效应）285
6.2 低、高发射极偏压效应290
6.3 基极渡越时间307
6.4 电荷控制模型311
6.5 小信号晶体管模型326
6.6 计算机模拟双极晶体管模型335
6.7 器件：pnp晶体管341
小结350
习题352
第七章 氧化物-硅系统的特性361
7.1 MOS结构362
7.2 MOS系统的电容371
7.3 MOS电子学375
7.4 氧化物和界面电荷383
7.5 pn结的表面效应390
7.6 MOS电容器和电荷耦合器件（CCD）395
小结401
习题404
第八章 绝缘栅场效应晶体管409
8.1 电流-电压特性411
8.2 IGFET参数424
8.3 MOS集成电路434
8.4 二级近似考虑441
8.5 器件：离子注入IGFET450
小结457
习题460