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王守武院士传略1

王守武院士出访记录10

A3 微电子技术的发展和我们的对策104

A4 为了无愧于历史和人生——寄语研究部的青年人107

A5 紧跟新技术革命步伐，加速信息高速公路建设——纪念晶体管发明50周年108

B篇 耕耘篇109

王守武院士主要贡献11

B1 The Plastic State of Stress in Extrusion Through Frictionless Rollers111

B2 半导体的电子生伏打效应的理论118

祝贺与回忆13

B3 关于p-n合金结中少数载流者的注射理论131

庆祝王守武院士80华诞14

B4 双脉冲法测量锗、硅材料寿命145

学习王守武先生献身中国微电子事业的精神15

B5 双脉冲法测量硅的寿命152

B6 1-200mc内晶体管频率特性的测量157

淡泊名利，奋力开拓，实事求是，平易近人17

B7 用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命171

B8 砷化镓p-n结的受激发射的光谱特性186

B9 平面Gunn器件中的雪崩弛豫振荡189

B10 低阈值CaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器196

报国惟真、创新求实——王守武院士传略2

王守武先生与中国第一只晶体管20

B11 Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟206

印象深刻的一件事21

半导体光电子学的开拓性研究——忆王守武院士的指导22

B12 GaAs-Ga1-xAlxAs双异质结激光器的深能级荧光223

B13 DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量232

B14 （AlGa）As/GaAs DH激光器低温负阻的研究239

良师教导，终生难忘——记与王守武院士共同作的日子24

B15 GaAs/GaAlAs p-n-p-n Negative-resistance Laser with Low Threshold Current Density250

B16 Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟259

科学严谨、认真扎实、正派无私——庆王守武80华诞，忆王守武当厂长的岁月27

B17 平面Gunn器件中静止畴的形成和转变271

B18 Self-Oscillation Frequency Characteristics of a GaAs/GaAlAs pn-pn Laser281

B19 SOI结构中的薄体效应299

王守武先生对我们的教诲31

B20 5-硝基苊光致特性的研究311

B21 关于半导体激光器中光子密度的速率方程318

回忆与王守武所长一起工作的日子32

B22 双层多晶硅电极间隙势垒的两维分析321

B23 离子注入抗蚀技术333

B24 双异质结半导体激光器在阶跃和正弦电流调制下的行为335

王守武院士与学术交流34

B25 单腔双接触结构激光器双稳特性研究348

B26 GaAs/GaAlA pnpn负阻激光器中的光开关、光双稳特性359

我的老师王守武院士36

B27 离子注入抗蚀技术366

B28 Optical Bistability in a pnpn GaAs/GaAlAs Laser Diode371

王守武先生二三事38

B29 关于半导体激光器侧向调制相位均匀性的研究380

B30 Computer Simulation and Experimental Observation of the Transformation Between Stationary and Transit Domains in a Gunn Device389

B31 Stability Analysis of Semiconductor Bistable Lasers402

王守武科学论文选41

B32 GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究412

B33 薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系415

B34 STM钨针尖顶端结构研究419

A篇 导航篇42

B35 GaAs/AlGaAs光子平行存贮器的性能423

B36 GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究429

A1 半导体器件的发展43

王守武院士简历9

A2 大规模集成电路和短沟道效应92