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第1章 总论1

1.1 薄膜之功能与应用1

1.1.1 前言1

1.1.2 薄膜特征2

1.1.3 薄膜特性的起源3

1.1.4 薄膜功能的应用5

1.2 薄膜形成技术7

1.2.1 前言7

1.2.2 PVD法与CVD法7

1.2.3 薄膜成长条件与结构、物性10

1.2.4 PVD法13

1.2.5 CVD法18

1.2.6 利用溶液之薄膜形成法30

1.2.7 结言31

1.3 膜成长过程与磊晶术（epitaxy）33

1.3.1 前言33

1.3.2 薄膜成长之基本过程33

1.3.3 薄膜之成长样式34

1.3.4 各种物质之成长样式39

1.3.5 表面变性成长[界面活性剂（surfactant）成长]39

1.3.6 磊晶术（epitaxy）40

1.3.7 结言42

1.4 薄膜的历史43

第2章 薄膜制作法55

2.1 真空蒸镀55

2.1.1 真空蒸镀法55

2.1.2 分子束磊晶法71

2.1.3 离子喷镀（ion plating）79

2.2 溅镀（sputtering）法88

2.2.1 溅镀原理88

2.2.2 溅镀之特征91

2.2.3 各种溅镀法之特征95

2.2.4 反应性溅镀98

2.3 化学气相沉积法105

2.3.1 前言105

2.3.2 CVD基本原理105

2.3.3 热CVD114

2.3.4 电浆CVD120

2.3.5 光CVD126

2.3.6 结言128

第3章 薄膜的功能131

3.1 半导体薄膜131

3.1.1 Si系131

3.1.2 化合物半导体薄膜141

3.2 光学薄膜166

3.2.1 基本公式166

3.2.2 薄膜光学常数之求法169

3.2.3 反射防止膜172

3.2.4 狭带域过频器（narrow-band pass filter）176

3.2.5 透明导电膜178

3.2.6 三棱镜耦合器（prism coupler）183

3.2.7 现实之薄膜184

3.3 有机薄膜191

3.3.1 前言191

3.3.2 薄膜制作技术194

3.3.3 真空蒸镀之各种参数197

3.3.4 有机分子之方位（配向）成长法：磊晶成长与摩擦复制法201

3.3.5 单一轴向排列高分子之电子特性异方性207

3.3.6 由结构控制提高光激发之发光强度208

3.3.7 结言210

3.4 介电体薄膜212

3.4.1 介电常数212

3.4.2 交流电场之介电常数215

3.4.3 界面分极217

3.4.4 强介电体219

3.4.5 介电体薄膜之电气传导222

3.4.6 半导体元件之应用227

3.4.7 绝缘破坏与加速试验230

3.5 磁性薄膜232

3.5.1 前言232

3.5.2 磁区结构与技术磁化过程233

3.5.3 磁性异方性及磁歪235

3.5.4 薄膜之微细组织控制与新磁性功能237

3.5.5 Fe基微结晶膜之软磁性（写入磁头用薄膜）238

3.5.6 磁碟用薄膜介质（面内磁性记录方式）241

3.5.7 再生磁头用薄膜[自旋阀（spin valve）]244

3.5.8 强磁性穿隧接合247

第4章 薄膜的性质与应用251

4.1 膜厚测试法251

4.1.1 膜厚的定义251

4.1.2 探针束（probe）253

4.1.3 光探针259

4.1.4 扫描质量变化：石英晶体振荡器法263

4.1.5 其他膜厚测试方法265

4.2 薄膜之机械的、力学的性质266

4.2.1 薄膜的应变与应力266

4.2.2 薄膜机械性质的应用277

4.2.3 薄膜之附着性282

4.3 薄膜的化学性质289

4.3.1 前言289

4.3.2 拨水性与亲水性290

4.3.3 蚀刻性296

4.3.4 结言311

4.4 电子元件之应用312

4.4.1 前言312

4.4.2 薄膜应用之相关研究开发313

4.4.3 薄膜之形态控制315

4.4.4 薄膜界面之功能317

4.4.5 GMR感测器（sensor）薄膜318

4.4.6 积层欧姆（ohmic）电极薄膜与接触电阻323

4.4.7 Ai-Si-Cu/Ti/TiN/Ti/Si基板积层配线膜与电子迁移325

索引329