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1 电子能谱：一些基本概念1.1　表面分析1

1.2　能谱标识方法2

1.2.1　谱学家标识方法2

1.2.2　X射线标识方法3

1.3　X射线光电子能谱（XPS）4

1.4　俄歇电子能谱（AES）5

1.5　扫描俄歇电子显微镜（SAM）6

1.6　电子能谱中的分析深度7

1.7 比较XPS和AES/SAM8

1.8　表面分析设备9

2　电子能谱仪构造11

2.1　真空系统11

2.2　样品12

2.3　X射线源14

2.3.1　双阳极X射线源14

2.3.2　X射线单色器15

2.3.3　荷电补偿18

2.4　AES的电子枪18

2.4.1　电子源19

2.4.2　俄歇电子能谱中电子发射体的比较21

2.5　电子能谱分析器22

2.5.1　筒镜形分析器22

2.5.2　半球形分析器24

2.6　探测器28

2.6.1　通道电子倍增器28

2.6.2　通道板29

2.7　小面积XPS29

2.7.1　透镜限定小面积XPS30

2.7.2　源限定小面积XPS30

2.8　XPS成像和面分布成像30

2.8.1　串行采集31

2.8.2　平行采集31

2.9　小面积XPS的横向分辨率33

2.10　角分辨XPS34

3　电子能谱：定性和定量诠释34

3.1　定性分析37

3.1.1　电子能谱中的干扰特征峰38

3.1.2　数据采集39

3.2　化学态信息40

3.2.1　X射线光电子能谱40

3.2.2　电子诱导激发俄歇电子能谱41

3.2.3　俄歇参数42

3.2.4　化学态图43

3.2.5　震激伴峰44

3.2.6　多重劈裂45

3.2.7　等离激元46

3.3　定量分析47

3.3.1　影响电子能谱定量分析的因素47

3 3.2　XPS定量分析48

3.3.3　AES定量分析48

4　组分深度剖析50

4.1　非破坏性深度剖析方法50

4.1.1　角分辨电子能谱50

4.1.2　分析深度随电子动能的变化57

4.2　惰性气体离子刻蚀深度剖析58

4.2.1　溅射过程58

4.2.2　实验方法59

4.2.3　溅射产额和刻蚀速率60

4.2.4　影响刻蚀速率的因素61

4.2.5　影响深度分辨的因素62

4.2.6　校准64

4.2.7　离子枪结构65

4.3　机械切削67

4.3.1　斜面磨角67

4.3.2　球形磨坑67

4.4　结束语69

5　电子能谱在材料科学中的应用5.1　引言71

5.2　冶金学71

5.2.1　晶界偏析71

5.2.2　金属合金电子结构75

5.2.3　表面工程77

5.3　腐蚀科学81

5.4　陶瓷和催化剂87

5.5　微电子和半导体材料89

5.5.1　半导体器件表面AES组分面分布成像90

5.5.2　半导体材料的深度剖析91

5.5.3　超薄层薄膜的ARXPS研究92

5.6　聚合物材料93

5.7　黏合科学98

6　XPS,AES与其他分析技术的比较6.1 电子显微镜中的X射线分析107

6.2　电子显微镜中的电子分析108

6.3　表面分析质谱110

6.4　离子散射谱113

6.5　结束语115

名词术语118

缩写词表118

表面分析方法简介118

表面分析术语119

因特网上的表面分析资料126

表面分析中的文字标准126

附录131

附录1　俄歇电子能量131

附录2　用AIKαX射线获得的结合能表132

索引134