图书介绍
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- （日）广田明宏，（日）坂上弘，（日）猪俣浩一郎著 著
- 出版社： 北京：清华大学出版社
- ISBN：9787302343653
- 出版时间：2014
- 标注页数：180页
- 文件大小：24MB
- 文件页数：192页
- 主题词：磁阻－磁性材料－电子器件
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图书目录
第1章 绪论1
1.1 磁性传感器（传感器和读取头）3
1.1.1 磁阻传感器5
1.1.2 硬盘驱动器磁头6
1.2 磁随机存储器（MRAM）10
参考文献11
第2章 巨磁阻和隧道磁阻器件物理12
2.1 自旋钉扎13
2.1.1 自旋钉扎的唯象理论13
2.1.2 自旋钉扎的微磁理论19
2.2 巨磁阻效应的自由电子模型25
2.2.1 金属和金属薄膜的电导率25
2.2.2 铁磁金属的电导率（两电流模型）28
2.2.3 巨磁阻效应的两电流模型30
2.3 隧道磁阻（TMR）器件的自由电子模型38
2.3.1 隧穿电流的Simmons公式38
2.3.2 铁磁隧道结43
参考文献48
第3章 金属多层薄膜的巨磁阻器件50
3.1 交换耦合金属多层薄膜50
3.1.1 金属多层薄膜中的层间耦合50
3.1.2 金属多层膜的磁阻性能54
3.1.3 磁阻性能对薄膜结构的依赖性58
3.1.4 磁阻率的热稳定性65
3.2 磁传感器67
3.2.1 静态特性68
3.2.2 动态特性70
参考文献72
第4章 自旋阀器件74
4.1 自旋阀74
4.1.1 交换偏置自旋阀74
4.1.2 赝自旋阀80
4.2 巨磁阻效应的增强82
4.2.1 背层效应83
4.2.2 镜面散射效应86
4.3 磁头101
4.3.1 读取头的设计102
4.3.2 读取头的自旋阀108
参考文献113
第5章 隧道型巨磁阻（TMR）器件116
5.1 自旋相关隧穿116
5.1.1 隧道磁阻116
5.1.2 自旋隧道结的制备121
5.1.3 自旋隧道结的微加工124
5.1.4 退火性能126
5.1.5 TMR的温度依赖性127
5.1.6 偏压对TMR的影响129
5.1.7 双隧道结131
5.2 TMR磁头133
参考文献135
第6章 磁性随机存储器（MRAM）137
6.1 MRAM器件及其工作原理137
6.1.1 早期的MRAM器件137
6.1.2 基于GMR单元的MRAM器件138
6.1.3 基于MTJ单元的MRAM器件140
6.2 基于MTJ的MRAM架构140
6.3 MRAM的特性142
6.4 MTJ单元的设计143
6.5 MTJ单元的自旋翻转场147
6.5.1 单畴计算147
6.5.2 微磁模拟148
6.5.3 二维的磁化翻转151
6.6 MRAM制造中存在的问题153
6.6.1 集成电路的兼容性153
6.6.2 MTJ单元的一致性154
6.7 目前MRAM制造方面的尝试154
6.8 MRAM的可扩展能力：高存储密度的挑战156
6.8.1 电阻156
6.8.2 信号电压157
6.8.3 写入电流157
6.8.4 超顺磁性158
参考文献159
第7章 其他巨磁阻器件161
7.1 双极自旋晶体管161
7.1.1 自旋注入161
7.1.2 自旋晶体管的工作原理162
7.1.3 器件的性质165
7.1.4 原型器件的验证165
7.2 自旋场效应管167
7.3 自旋阀晶体管168
7.3.1 自旋阀晶体管的原理168
7.3.2 器件特性170
7.4 自旋相关单电子隧穿器件171
7.4.1 结构和特性171
7.4.2 库仑阻塞效应的TMR增强效应177
7.4.3 自旋积累178
参考文献179