图书介绍
半导体材料生长技术PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- （美）曾（Tsang，W.T.）主编；江剑平等译 著
- 出版社： 广东科技出版社；清华大学出版社
- ISBN：7535911358
- 出版时间：1993
- 标注页数：443页
- 文件大小：18MB
- 文件页数：456页
- 主题词：
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图书目录
第一章 InGaAsP液相外延生长1
Ⅰ．引言3
Ⅱ．In-Ga-As-P相图和In-Ga-As相图5
Ⅲ．晶格匹配的InGaAsP层和InGaAs层的生长21
Ⅳ．无失配位错外延层的生长29
Ⅴ．生长速率40
Ⅵ．高纯外延层的生长68
Ⅶ．生长的其它特点81
Ⅷ．在(111)A取向的In0.53 Ga0.47As上直接生长InP90
Ⅸ．结语95
参考文献96
第二章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的分子束外延104
Ⅰ．分子束外延的历史回顾106
Ⅱ．分子束外延的基本过程108
Ⅲ．生长设备115
Ⅳ．在位表面检测技术116
Ⅴ．衬底处理127
Ⅵ．Ⅲ-V族化合物的生长条件133
Ⅶ．单层的输运和光学性质155
Ⅷ．量子阱结构的输运和光学性质163
Ⅸ．MBE生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器171
Ⅹ．新型激光器181
Ⅺ．新型光探测器209
Ⅻ．结语219
参考文献221
第三章 Ⅲ-Ⅴ族半导体的有机金属汽相外延生长227
Ⅰ．引言228
Ⅱ．生长过程233
Ⅲ．典型材料和器件266
Ⅳ．总结和展望277
参考文献279
第四章 InGaAsP和GaAs的卤化物和氯化物输运的汽相沉积285
Ⅰ．引言286
Ⅱ．卤化物输运287
Ⅲ．热力学模型295
Ⅳ．生长机理的讨论317
Ⅴ．结语321
附录321
参考文献324
第五章 GaxInι-xAsyPι-y合金的低压金属有机化学汽相沉积326
Ⅰ．引言328
Ⅱ．生长技术331
Ⅲ．InP的生长与特性335
Ⅳ．GaInAs的生长与特性348
Ⅴ．GaInAsP的生长与特性379
Ⅵ．结语408
参考文献410
第六章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的缺陷415
Ⅰ．引言416
Ⅱ．光电子材料中的固有缺陷和工艺过程中产生的缺陷422
Ⅲ．位错的光学性质429
Ⅳ．与退化有关的缺陷反应433
Ⅴ．结语439
参考文献440