图书介绍
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- 张国忠主编 著
- 出版社： 天津：天津科学技术出版社
- ISBN：15212·110
- 出版时间：1983
- 标注页数：173页
- 文件大小：4MB
- 文件页数：178页
- 主题词：
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图书目录
目录1
第一章 半导体物理基础1
§1-1半导体1
§1-2半导体中的能带4
§1-3半导体中的载流子11
§1-4费米能级15
§1-5非平衡载流子20
§1-6载流子的输运28
§1-7半导体表面43
§1-8晶格和缺陷47
复习题一56
第二章 PN结58
§2-1PN结58
§2-2PN结的电流—电压特性61
§2-3空间电荷区中的复合—产生电流69
§2-4空间电荷区的电场和宽度73
§2-5PN结的击穿86
§2-6PN结的电容效应93
§2-7金属—半导体接触97
复习题二101
第三章 晶体管原理103
§3-1晶体管的电流放大特性103
§3-2晶体管的反向电流与击穿电压117
§3-3晶体管的频率特性122
§3-4晶体管的大电流和功率特性131
§3-5晶体管的开关特性140
复习题三153
第四章 场效应晶体管155
§4-1结型场效应晶体管155
§4-2MOS场效应晶体管161
复习题四169
附录170
一、室温（300K）下硅、锗、砷化镓及二氧化硅的主要性质170
二、硅、锗电阻率与杂质浓度的关系171
三、常用的物理常数171
四、半导体器件型号命名方法172