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半导体器件译丛 3 总第10期
  • 济南市半导体元件实验所情报资料室编辑 著
  • 出版社: 济南市半导体元件实验所情报室资料室
  • ISBN:
  • 出版时间:1971
  • 标注页数:62页
  • 文件大小:21MB
  • 文件页数:65页
  • 主题词:

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图书目录

(1)氮化硅通过氧的影响转变为二氧化硅1

(2)硅上氮化硅和氮氧化硅薄膜作扩散掩蔽10

(3)氧化硅做氮化硅的腐蚀掩蔽14

(4)用氯进行硅气相腐蚀16

(5)锑扩散的掺杂氧化物淀积系统21

(6)硅器件工艺过程中氯化氢吸附的使用28

(7)离子沾污引起的低电流hFE的退化32

(8)hFE的雪崩衰降47

(9)半导体片中掺杂分布的直接图示方法59

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