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（中）537

战略展望537

21世纪微电子技术发展展望537

铁电-硅微集成系统542

用于通信领域中的MEMS器件550

硅基铁电信息存储技术557

微麦克风的研究及展望563

从微电子学到纳电子学——电子科学技术的又一次革命568

器件物理577

深亚微米沟道δ掺杂NMOSFET结构特性和设计577

超薄氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中GIDL效应的研究583

SOI MOSFET自加热效应的建模589

多晶提升源漏的MOSFET的优化592

一种新型的全抑制浮体和自加热效应的DSOI结构595

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计601

包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型607

包含自加热效应的短沟道SOI MOSFET直流模型614

MOSFET反型层迁移率的普适性讨论620

深亚微米MOSFET短沟效应的变分法分析626

量子化效应对深亚微米MOSFET亚阈区特性的影响633

亚微米及深亚微米常规和LDD MOSFET性能研究638

亚0.1μm栅衬互连体硅MOSFET特性研究644

MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正651

MOS结构有效态密度方法的量子力学校正656

基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型669

应用变分方法的统一MOSFET短沟道因数674

MOS结构反型层中量子力学效应的简化研究方法681

一种新的MOS结构量子化效应修正模型687

利用不均匀网格的比例变换方法求解薛定谔方程695

MOS结构反型层和积累层建模中三角电势阱近似的正确性与适用性701

MOS反型层中基于空间电荷电容的电荷电压解析模型709

包含全部量子力学效应的现代MOSFET综合解析电荷控制和I-V模型717

pMOSFET量子力学效应阈值漂移的表征与建模725

一种包含量子力学效应的MOS结构反型层电荷新模型735

MOS结构中量子化反型层的简并746

MOS结构阈值区域的量子力学效应的综合分析754

硅基PZT铁电薄膜的制备与性能研究766

钛酸铅铁电薄膜研究772

MOS结构反型层中载流子分布和栅电容的表征与建模776

充分考虑量子力学效应的亚微米和深亚微米MOSFET解析电荷控制和I-V模型792

硅薄膜晶格热导率分析807

硅基铁电薄膜的电性能研究812

集成电路技术819

一种用于模式识别的多输入模糊处理器819

一种面向VLSI实现的手写体数字识别系统824

单体模糊神经网络：在智能控制中的应用及VLSI实现834

双MOS晶体管等效电阻839

可编程模糊逻辑控制器芯片的设计845

纹膜结构微麦克风的动态特性：使用EDA/CAD工具进行Top-down设计852

多值模糊最小最大神经网络分类器的递归算法861

系统集成技术871

单芯片纹膜微型硅电容麦克风的理论和实验研究871

集成流体系统的单芯片制作883

清华大学MEMS技术的研究发展894

三维MEMS结构的单芯片制作新技术903

微流量泵与微流量传感器的系统集成908

新型双轴电容式微加速度传感器优化设计研究912

利用多层光刻胶工艺的准LIGA技术918

硅集成微型泵系统的优化设计和兼容工艺研究923

铁电-硅集成微麦克风和扬声器研究929

具有多晶固定轴承的晃动马达制作工艺934

改进微静电马达的摩擦与磨损939

用于坡莫合金微结构阵列电沉积的等离子干法刻蚀的P型硅微模944

一种新型硅基PT/PZT/PT夹心结构的电性能研究950

一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究955

一种新型集成微麦克风和扬声器的设计961

基于微电子机械系统技术的高灵敏度电容式微传声器的研制966

集成MOS力敏运放压力传感器975

一种新的FET型铁电非挥发存储器的单元和阵列结构980

一种改进的铁电电容行为模型987

Bi2Ti2O7基金属-铁电-半导体FET研究992

微机械平面螺旋电感的Q值分析与结构优化996

硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究1002

用于微声学器件的新型单芯片纹膜的动态特性1007

其他1017

光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作1017