图书介绍
晶体管原理PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 陈星弼，唐茂成编 著
- 出版社： 北京：国防工业出版社
- ISBN：15034·2216
- 出版时间：1981
- 标注页数：442页
- 文件大小：22MB
- 文件页数：448页
- 主题词：
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图书目录
目录1
第一章＊ 半导体中的载流子1
§1-1 半导体的导电性1
§1-2 平衡载流子的统计1
§1-3 载流子的运动17
§1-4 非平衡载流子22
第二章 p-n结31
§2-1 p-n结的平衡状态31
§2-2 p-n结在正向电压下的特性36
§2-3 p-n结在反向电压下的特性42
§2-4 p-n结电容47
§2-5 p-n结的击穿57
第三章 半导体表面68
§3-1 表面电荷的来源68
§3-2 半导体的表面势和表面空间电荷70
§3-3 界面态75
§3-4 表面对p-n结二极管性能的影响80
§4-1 均匀基区晶体管的放大系数86
第四章 晶体管的直流特性86
§4-2 漂移晶体管的放大系数91
§4-3 理想晶体管的直流特性95
§4-4 共基极的反向特性99
§4-5 其它电压-电流特性105
§4-6 小信号参数112
§4-7 基极电阻与T形等效电路117
第五章 晶体管的几种结构128
§5-1 合金结晶体管128
§5-2 平面晶体管131
§5-3 平面管的几种具体结构154
§5-4 可控硅整流器160
§5-5 双基极二极管164
第六章 晶体管的频率特性169
§6-1 基区输运过程和频率的关系169
§6-2 电流放大系数与频率的关系177
§6-3 等效电路187
§6-4 最高振荡频率和高频晶体管的结构193
附录一 晶体管的参数200
附录二 基区少子连续性方程的解201
第七章 晶体管的大电流特性206
§7-1 大注入效应206
§7-2 基区扩展效应211
§7-3 发射极电流集边效应217
第八章 功率晶体管222
§8-1 晶体管的热阻和等效热路222
§8-2 晶体管的热击穿及其参数随温度和工作点的变化240
§8-3 二次击穿和安全工作区254
§8-4 高频和微波功率晶体管266
第九章 开关晶体管288
§9-1 二极管的开关特性288
§9-2 晶体管的开关作用和大信号特性293
§9-3 晶体管的开关过程296
§9-4 开关晶体管301
第十章 MIS结构的电容及稳定性305
§10-1 理想MOS结构的电容-电压特性（C-V特性）305
§10-2 实际MOS结构的C-V特性315
§10-3 MOS结构的不稳定性324
§10-4 MIS结构的不稳定性326
§10-5 MIOS非挥发性存储器334
第十一章 场效应晶体管345
§11-1 MOS晶体管的工作原理和特性345
§11-2 阈电压VT351
§11-3 MOS晶体管输出特性的数学分析357
§11-4 MOS晶体管的直流参数及其与温度的关系362
§11-5 MOS晶体管的小信号参数、等效电路及其频率特性366
§11-6 MOS倒相器电路的瞬态响应377
§11-7 MOS晶体管制造工艺387
§11-8 MOS晶体管性能的提高394
§11-9 结型场效应晶体管407
第十二章 晶体管的噪声413
§12-1 晶体管的噪声413
§12-2 晶体管的噪声源415
§12-3 双极型晶体管高频噪声系数的近似表达式420
§12-4 双极型高频低噪声晶体管428
§12-5 MOS晶体管的噪声436