图书介绍
场效应晶体管电路设计PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- （美）埃文斯（Evans，A.D.）主编；亢宝位，孙吾云译 著
- 出版社： 北京：人民邮电出版社
- ISBN：7115036268
- 出版时间：1988
- 标注页数：312页
- 文件大小：9MB
- 文件页数：321页
- 主题词：
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图书目录
目录1
第一章 场效应晶体管理论1
1-1 引言1
1-2 结型场效应晶体管4
1-3 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管（绝缘栅型场效应晶体管）14
1-4 场效应晶体管的符号18
1-5 场效应晶体管的物理特征19
1-6 小结25
第二章 场效应晶体管的参量与规格27
2-1 引言27
2-2 JFET的静态特性28
2-3 栅流特性34
2-4 小信号特性35
2-5 JFET中的电容39
2-6 噪声特性41
2-7 特性参量间的相互关系43
2-8 MOSFET的特性48
2-9 模拟开关参量56
2-10 温度效应61
2-11 额定功耗衰减系数63
2-12 术语与符号汇总64
3-1 引言66
第三章 低频电路66
8-2 工作区的边界67
3-3 设计举例68
3-4 确定工作点与建立偏置的方法69
3-5 输入电容72
3-6 如何选用FET——一个设计实例73
3-7 恒流源偏置82
3-8 共源共栅电路84
3-9 源极跟随器（共漏放大器）90
3-10 差分放大器98
3-11 FET放大器的失真121
3-12 音频噪声特性133
第四章 高频电路147
4-1 高频技术147
4-2 高频放大中的问题149
4-3 “完美”的高频FET151
4-4 稳定性153
4-5 功率增益156
4-6 晶体管的两端口网络（四端网络）参量157
4-7 放大器162
4-8 混频器173
4-9 平衡混频器181
4-10 双平衡混频器186
4-11 振荡器194
4-12 高频功率FET198
4-13 噪声温度与噪声系数203
第五章 模拟开关208
5-1 作模拟开关用的FET208
5-2 直流等效电路209
5-3 作开关用的JFET212
5-4 开关高频信号215
5-5 MOSFET开关221
5-6 CMOS开关222
5-7 VMOS开关224
5-8 直流漏电特性232
5-9 电容与开关过渡过程238
5-10 用模拟开关进行信号变换246
5-11 小结251
第六章 电压控制电阻器和FET电流源252
6-1 电压控制电阻器（VCR）的性质252
6-2 FET VCR的特性252
6-3 如何把FET用作VCR255
6-4 信号失真：起因256
6-5 信号失真的减小257
6-6 用VCR进行线性增益控制259
6-7 反馈线性化了的VCR的分析262
6-8 用FET作恒流源265
6-9 共源共栅FET电流源269
6-10 稳流二极管270
6-11 使用稳流器的波形发生器273
6-12 用FET作电流源时的使用要点275
第七章 功率场效应晶体管276
7-1 引言276
7-2 VMOS技术277
7-3 垂直JFET和DMOS技术279
7-4 VMOS的特性281
7-5 一般开关应用283
7-6 驱动考虑294
7-7 温度考虑295
7-8 并联与串联工作297
7-9 放大应用298
7-10 射频功率放大应用303
7-11 小结303
第八章 集成电路中的场效应晶体管304
8-1 引言304
8-2 MOSFET的各种基本制造工艺304
8-3 双极晶体管与FET的结合308